吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

淺槽隔離CMP拋光液·參數(shù)吉致電子，CMP拋光材料 可定制·速率高·效果好·專利配方CUSTOMIZABLE, HIGH SPEED, GOOD EFFECT AND PATENTED FORMULA

產(chǎn)品名稱：淺槽隔離拋光液/STI Slurry拋光液/淺溝槽隔離化學(xué)機(jī)械拋光液

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：STI Slurry 適用于集成電路當(dāng)中的銅互連工藝制程中銅的去除和平坦化。

具有高的銅去除速率，碟型凹陷可調(diào)，低缺陷等特性?？蓱?yīng)用于邏輯芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量產(chǎn)使用。清除集成電路中銅拋光后表面的拋光顆粒和化學(xué)物殘留，以防銅表面腐蝕，降低表面缺陷。

適用范圍：

單晶硅、多晶硅的研磨拋光，存儲(chǔ)器制程和背照式傳感器(BSI)制程等?？啥ㄖ七x擇穩(wěn)定的選擇比，去除速率，對(duì)氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優(yōu)點(diǎn)。BSI拋光液系列具有理想的硅和二氧化硅去除速率和選擇比。涵蓋TSV銅/阻擋層Slurry，TSV晶背銅/介質(zhì)層拋Slurry、TSV晶背硅Slurry、TSV晶背硅/銅Slurry等。具有高去除速率、選擇比可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)。以及集成電路制造工藝中淺槽隔離的拋光等等。

吉致電子淺槽隔離拋光液 STI Slurry特點(diǎn)：

1.分散性好。

2.粒徑分布廣泛：10-150nm。

3.高純度，有效減小對(duì)電子類產(chǎn)品的沾污。

4.適合與各種拋光墊、合成材料配合拋光使用。

5.PH、粒徑、穩(wěn)定離子等可以根據(jù)客戶定制(10-150 nm)。

6.經(jīng)特殊工藝合成的化學(xué)機(jī)械拋光液，納米顆粒呈球形，單分散，大小均勻，粒徑分布窄，可獲得高質(zhì)量的拋光精度。

拋光過(guò)程中具有：

1.高拋光速率，利用大粒徑的膠體二氧化硅粒子達(dá)到高速拋光的目的。（可以生產(chǎn)150 nm）。

2.高平坦度加工，吉致氧化硅精拋液是利用SiO2的膠體粒子，不會(huì)對(duì)加工件造成物理?yè)p傷，達(dá)到高平坦化加工。

拋光過(guò)程后具有：

1.精度可以達(dá)到納米

2.劃傷和挖傷可以達(dá)到0/0

吉致電子STI拋光液使用方法：

1.可根據(jù)拋光操作條件用去離子水進(jìn)行5-20倍稀釋。

2.稀釋后，粗拋時(shí)調(diào)節(jié)PH11左右，精拋時(shí)調(diào)節(jié)PH9.5左右。pH調(diào)節(jié)可以用10%的鹽酸、醋酸、檸檬酸、KOH或氨水在充分?jǐn)嚢柘侣尤搿?/p>

3.循環(huán)拋光可以用原液。

吉致電子STI拋光液儲(chǔ)存方法：

1.貯存時(shí)應(yīng)避免曝曬，貯存溫度為5-35℃

2.低于0℃以上儲(chǔ)存，防止結(jié)冰，在無(wú)度以下因產(chǎn)生不可再分散結(jié)塊而失效。

3.避免敞口長(zhǎng)期與空氣接觸。

吉致電子STI拋光液價(jià)格：

吉致電子的淺槽隔離拋光液（STI Slurry）生產(chǎn)技術(shù)是引進(jìn)國(guó)外生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備，特殊化學(xué)配方制備而成。吉致電子拋光液品質(zhì)可以媲美進(jìn)口同類產(chǎn)品。

本土化生產(chǎn)的優(yōu)勢(shì)使吉致電子CMP拋光液產(chǎn)品交貨周期快，品質(zhì)好，拋光液價(jià)格實(shí)惠親民。

吉致電子研發(fā)團(tuán)隊(duì)--15年經(jīng)驗(yàn)CMP拋光液配方工程師，為您攻克拋光難題！

無(wú)錫吉致電子科技有限公司

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