日韩精品今日更新18,一卡2卡三卡4卡高清在线观看

[吉致動(dòng)態(tài)]碳化硅襯底需要CMP嗎[ 2024-01-30 17:17 ]

碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過程為化學(xué)機(jī)械研磨平面步驟---簡(jiǎn)稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長(zhǎng)的襯底表面，同時(shí)使晶圓表面平坦化達(dá)到理想的粗糙度。化學(xué)機(jī)械拋光步驟一般使用化學(xué)研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來實(shí)現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學(xué)反應(yīng)及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研

http://www.sb8049.com/Article/thgcdxycmp_1.html

[常見問題]CMP化學(xué)機(jī)械拋光在半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要作用[ 2023-12-21 11:53 ]

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是半導(dǎo)體晶圓制造的關(guān)鍵步驟，這項(xiàng)工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整，達(dá)到半導(dǎo)體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材，分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量，CMP耗材品質(zhì)直接影響拋光效果，對(duì)提高晶圓制造質(zhì)量至關(guān)重要。 CMP拋光液/墊技術(shù)壁壘較高，高品質(zhì)的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質(zhì)量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長(zhǎng)使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節(jié)。&nbs

http://www.sb8049.com/Article/cmphxjxpgz_1.html

[應(yīng)用案例]吉致電子--CMP不銹鋼表面快速拋光[ 2023-12-18 17:58 ]

不銹鋼獲取高質(zhì)量的鏡面的傳統(tǒng)工藝主要采用的拋光技術(shù):電解拋光、化學(xué)拋光和機(jī)械拋光。隨著對(duì)鏡面不銹鋼表面質(zhì)量要求的不斷提高，同時(shí)為了提高拋光效率，新型不銹鋼拋光工藝----CMP化學(xué)機(jī)械拋光被廣泛應(yīng)用。吉致電子針對(duì)不銹鋼表面鏡面處理，配制組成的CMP拋光液，通過化學(xué)溶液提高不銹鋼表面活性，同時(shí)進(jìn)行高速的機(jī)械拋光，用來消除表面凹凸而獲得更高質(zhì)量的光潔鏡面。CMP化學(xué)機(jī)械拋光對(duì)環(huán)境污染最小，不銹鋼鏡面拋光質(zhì)量最好，快速有效降低原始工件表面粗糙度，經(jīng)過粗拋和精拋工藝能達(dá)到鏡面效果，無劃傷、無凹坑、無麻點(diǎn)橘皮。根據(jù)金屬的種

http://www.sb8049.com/Article/jzdzcmpbxg_1.html

[行業(yè)資訊]CMP在半導(dǎo)體晶圓制程中的作用[ 2023-06-21 14:10 ]

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是實(shí)現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝，通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同配合作用，利用CMP拋光液、拋光機(jī)和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實(shí)現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級(jí)全局平坦化。簡(jiǎn)單來講，半導(dǎo)體晶圓制程可分為前道和后道 2 個(gè)環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造，后道工藝是芯片的封裝測(cè)試。前道加工領(lǐng)域CMP主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的拋光。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注

http://www.sb8049.com/Article/cmpzbdtjyz_1.html

[應(yīng)用案例]碳化硅SiC拋光工藝[ 2023-04-19 17:08 ]

根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)工藝不同，CMP拋光液可分為介質(zhì)層化學(xué)機(jī)械拋光液、阻擋層化學(xué)機(jī)械拋光液、銅化學(xué)機(jī)械拋光液、硅化學(xué)機(jī)械拋光液、鎢化學(xué)機(jī)械拋光液、TSV化學(xué)機(jī)械拋光液、淺槽隔離化學(xué)機(jī)械拋光液等。 SIC CMP拋光液是半導(dǎo)體晶圓制造過程中所需主要材料之一，在碳化硅材料工件打磨過程中起著關(guān)鍵作用，拋光液的種類、顆粒分散度、粒徑大小、物理化學(xué)性質(zhì)及穩(wěn)定性等均與拋光效果緊密相關(guān)。近年來，在人工智能、5G、數(shù)據(jù)中心等技術(shù)不斷發(fā)展背景下，碳化硅襯底應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大、市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，進(jìn)而帶動(dòng)

http://www.sb8049.com/Article/thgsicpggy_1.html

[應(yīng)用案例]硬質(zhì)合金拋光液--鏡面拋光鎢鋼刀片[ 2023-04-14 15:01 ]

硬質(zhì)合金刀片具有硬度高、韌性較好、耐熱、耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能，特別是它的高硬度和耐磨性，在1000℃時(shí)仍保持較高的硬度。硬質(zhì)合金鎢鋼工件對(duì)于很多拋光工藝來說屬于比較難加工的一種材質(zhì)。鎢鋼刀片拋光目前可通過CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝，搭配金屬專用拋光液達(dá)到理想的表面光潔度。硬質(zhì)合金刀片又叫鎢鋼刀片，原始件表面有銹斑、劃痕和麻點(diǎn)等不良現(xiàn)象，要解決這些問題需通過平面研磨機(jī)配合吉致電子硬質(zhì)合金研磨液、研磨墊、研磨盤等達(dá)到鏡面效果。硬質(zhì)合金的CMP機(jī)械化學(xué)鏡面拋光，經(jīng)過粗拋

http://www.sb8049.com/Article/yzhjpgyjmp_1.html

[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子常見的CMP研磨液[ 2023-02-27 16:15 ]

CMP 化學(xué)機(jī)械拋光液slurry的主要成分包括：磨料、添加劑和分散液。添加劑的種類根據(jù)產(chǎn)品適用場(chǎng)景也有所不同，分金屬拋光液和非金屬拋光液。金屬CMP拋光液含：金屬絡(luò)合劑、腐蝕抑制劑等。非金屬CMP拋光液含：各種調(diào)節(jié)去除速率和選擇比的添加劑。根據(jù)拋光對(duì)象不同，拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等類別。其中，銅拋光液和鎢拋光液主要用于邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片制造過程，在10nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)中，鈷將部分代替銅作為導(dǎo)線；硅拋光液主要用于硅晶圓初步加工過程中。吉致電子常見的CMP研

http://www.sb8049.com/Article/jzdzcjdcmp_1.html

[行業(yè)資訊]銅化學(xué)機(jī)械拋光液---什么是TSV技術(shù)？[ 2023-02-24 15:34 ]

銅機(jī)械化學(xué)拋光液---什么是TSV技術(shù)？TSV全稱為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。TSV的顯著優(yōu)勢(shì)：TSV可以通過垂直互連減小互聯(lián)長(zhǎng)度，減小信號(hào)延遲，降低電容/電感，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子

http://www.sb8049.com/Article/thxjxpgysm_1.html

[常見問題]吉致電子拋光液--CMP拋光工藝在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用[ 2023-02-09 13:14 ]

CMP化學(xué)機(jī)械拋光應(yīng)用于各種集成電路及半導(dǎo)體行業(yè)等減薄與平坦化拋光，吉致電子拋光液在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用，主要為STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供拋光漿料與耗材。 CMP一般包括三道拋光工序，包括CMP拋光液、拋光墊、拋光蠟、陶瓷片等。拋光研磨工序根據(jù)工件參數(shù)要求，需要調(diào)整不同的拋光壓力、拋光液組分、pH值、拋光墊材質(zhì)、結(jié)構(gòu)及硬度等。CMP拋光液和CMP拋光墊是CMP工藝的核心要素，直接影響工件表面的拋光質(zhì)量。在半導(dǎo)體行業(yè)CMP環(huán)節(jié)之中，也存在

http://www.sb8049.com/Article/jzdzpgycmp_1.html

[應(yīng)用案例]鋁合金拋光液--鋁質(zhì)工件鏡面拋光[ 2022-12-29 10:44 ]

鋁合金地較軟，硬度低，因此在加工成型過程中極易產(chǎn)生機(jī)械損傷造成劃痕、磨損等表面缺陷，同時(shí)易發(fā)生腐蝕，表面的化學(xué)穩(wěn)定性差。為了消除加工過程中的缺陷,通常采用CMP化學(xué)機(jī)械拋光方法，以期獲得良好的表面光潔度。隨著高新技術(shù)的發(fā)展，吉致電子鋁合金拋光液已經(jīng)有成熟的技術(shù)支持，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)CMP拋磨材料極高精度、近乎無缺陷的超精密平面化加工。CMP可以真正使鋁合金襯底實(shí)現(xiàn)全局平面化，得到近似完美的表面和極低的表面粗超度，且大大提高了生產(chǎn)率，降低了生產(chǎn)成本。鋁合金工件加工的表面均勻一致性好、近乎無表面損

http://www.sb8049.com/Article/lhjpgylzgj_1.html

[行業(yè)資訊]SIT Slurry平坦化流程與方法[ 2022-12-15 15:44 ]

淺槽隔離（shallow trench isolation），簡(jiǎn)稱STI。是在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝，通常用于亞0.25um工藝以下，利用掩模完成選擇性氧化，主要絕緣材料是淀積SiO?，淺槽隔離主要分為三個(gè)部分：槽刻蝕，氧化硅填充，CMP拋光液平坦化。一，槽刻蝕1,隔離氧化硅生成：氧化硅用于保護(hù)有源區(qū)在去掉氮化硅時(shí)免受化學(xué)污染2,氮化硅(Si?N?)淀積：氮化硅是堅(jiān)硬的掩模材料，有助于保護(hù)STI氧化硅淀積過程中保護(hù)有源區(qū)；在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中充當(dāng)阻擋材料3,淺槽刻蝕：用氟基和氯基氣體

http://www.sb8049.com/Article/sitslurryp_1.html

[常見問題]SIC碳化硅的化學(xué)機(jī)械拋光工藝[ 2022-12-14 16:20 ]

碳化硅Sic單晶生長(zhǎng)之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標(biāo)準(zhǔn)的圓柱體，線切割會(huì)把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質(zhì)量。 SiC表面的損傷層可以通過四種方法去除：機(jī)械拋光：簡(jiǎn)單但會(huì)殘留劃痕，適用于初拋；化學(xué)機(jī)械拋光：（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化學(xué)腐蝕去除劃痕，適用于精拋；氫氣刻蝕：設(shè)備復(fù)雜，常用于HTCVD過程；等離子輔助拋光：設(shè)備復(fù)雜，不常用。選擇CMP

http://www.sb8049.com/Article/sicthgdhxj_1.html

[行業(yè)資訊]吉致電子藍(lán)寶石研磨液CMP減薄工藝[ 2022-11-30 17:01 ]

藍(lán)寶石研磨液/拋光液，是通過化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）用于藍(lán)寶石襯底、窗口片的研磨和減薄，達(dá)到減薄尺寸、表面平坦化效果。吉致電子藍(lán)寶石研磨液由優(yōu)質(zhì)聚晶金剛石微粉、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍(lán)寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時(shí)不易對(duì)工件產(chǎn)生劃傷。吉致電子藍(lán)寶石研磨液、CMP拋光液可以應(yīng)用在藍(lán)寶石襯底的研磨和減薄、光學(xué)晶體、硬質(zhì)玻璃和晶體、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領(lǐng)域的研

http://www.sb8049.com/Article/jzdzlbsymy_1.html

[應(yīng)用案例]玉石拋光液---玉石表盤的CMP拋光工藝[ 2022-11-15 14:12 ]

一款玉石制成的腕表，優(yōu)雅大氣，彰顯如玉的君子氣質(zhì)。和田玉表盤的去粗及拋磨拋亮，是可以通過CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝來實(shí)現(xiàn)。玉石表面亮度還受兩個(gè)因素的影響：一是玉料的材質(zhì)，二是玉料的結(jié)構(gòu)，雖然大多數(shù)玉料都是晶體結(jié)構(gòu)，但晶體的粒度和分布狀況不同，呈纖維狀的玉料易于拋光，呈粒狀纖維的玉料不容易拋光。通過吉致電子玉石拋光液與拋光墊的組合拋磨，去除毛坯料表面凹凸不平劃痕，還原玉石本真的光澤，拋光后表盤工件看起來綿密細(xì)膩、油脂感足。通過CMP拋光玉石的優(yōu)點(diǎn)是可以快速減薄尺寸，拋光效率快、亮

http://www.sb8049.com/Article/yspgyysbpd_1.html

[應(yīng)用案例]吉致電子金屬拋光液---Apple Logo鏡面拋光液[ 2022-11-11 17:21 ]

Apple Logo非常有質(zhì)感，其閃閃發(fā)光的鏡面效果展現(xiàn)出蘋果品牌的魅力與審美。一個(gè)完美蘋果LOGO的誕生需要經(jīng)過化學(xué)機(jī)械拋光工藝的拋磨，CMP工藝拋出的光潔度更高，效率更穩(wěn)定，保證良品率的同時(shí)也為品牌塑造更好的形象。Apple Logo采用的是6063鋁合金材質(zhì)/不銹鋼材質(zhì)，進(jìn)行CNC切割成LOGO形狀，然后通過平面拋光機(jī)進(jìn)行拋光，采用復(fù)合型粗拋墊和CMP拋光液進(jìn)行粗拋平整化，最后通過采用阻尼布精拋墊加精拋液拋磨，達(dá)到完美的鏡面效果。吉致電子為蘋果LOGO定制的金屬拋光液，工藝為粗磨，中磨，精拋。拋光速率快，光潔

http://www.sb8049.com/Article/jzdzjspgya_1.html

[行業(yè)資訊]碳化硅襯底CMP拋磨工藝流程[ 2022-10-26 14:32 ]

碳化硅襯底CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝需要用到吉致電子CMP拋光液和拋光墊，拋磨工藝一般分為3道流程：雙面拋磨、粗拋、精拋。下面來看看吉致電子小編碳化硅晶圓拋光工藝介紹和拋光產(chǎn)品推薦吧。碳化硅襯底雙面研磨：一般使用雙面鑄鐵盤配合吉致電子金剛石研磨液或者碳化硅晶圓研磨液進(jìn)行加工；主要目的是去除線切損傷層以及改善晶片的平坦度。碳化硅襯底粗拋工藝：針對(duì)碳化硅襯底加工采用專門的碳化硅晶圓拋光液配合粗拋墊。既可以達(dá)到傳統(tǒng)工藝中較高的的拋光速率（與精磨基本相當(dāng)）又可以達(dá)到傳統(tǒng)工藝中粗拋后的表面光潔度。碳化硅襯底精拋工藝：SIC晶圓精

http://www.sb8049.com/Article/thgcdcmppm_1.html

[行業(yè)資訊]藍(lán)寶石拋光液的成分[ 2022-09-21 15:41 ]

藍(lán)寶石拋光液中的主要成分有磨料、表面活性劑、螯合劑、PH調(diào)節(jié)劑等，拋光液是影響CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）效果最重要的因素之一。評(píng)價(jià)拋光液性能好壞的指標(biāo)是流動(dòng)性好，分散均勻，在規(guī)定時(shí)間內(nèi)不能產(chǎn)生團(tuán)聚、沉淀、分層等問題，磨料懸浮性能好，拋光速率快，易清洗且綠色環(huán)保等。其中，磨料主要影響化學(xué)機(jī)械拋光中的機(jī)械作用。磨料的選用主要從磨料的種類、濃度以及粒徑三個(gè)方面來考慮。目前CMP拋光液中常用的磨料主要有金剛石、氧化鋁、氧化硅等單一磨料，也有氧化硅/氧化鋁混合磨料以及核殼型的復(fù)合磨料等。行業(yè)內(nèi)主流拋光

http://www.sb8049.com/Article/lbspgydcf_1.html

[常見問題]什么是混合磨料拋光液？[ 2022-09-08 16:12 ]

混合磨料拋光液拋磨工件材質(zhì)的升級(jí)和發(fā)展，對(duì)鏡面要求越來越高，單一的磨料已無法滿足CMP行業(yè)需求，研究人員開始嘗試將不同粒徑、不同形貌的一種或多種粒子組合到一起使用，開發(fā)出混合型拋光液。比如，在大粒徑二氧化硅中加入小粒徑的氧化硅，這樣能明顯提高拋光速率，且粒徑相差越大提升率越高，這是因?yàn)樵谀チ显诳偟馁|(zhì)量分?jǐn)?shù)不變的條件下，增大小粒徑磨料的占比能增加硅溶膠顆粒的總體數(shù)量，從而起到了提高拋光速率的作用。大量的研究成果表明，混合粒子的使用能夠不同程度的提高化學(xué)機(jī)械拋光的速率，但是對(duì)拋光后表面粗糙度

http://www.sb8049.com/Article/smshhmlpgy_1.html

[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子CMP拋光液適用設(shè)備有哪些？[ 2022-08-23 16:48 ]

吉致電子研發(fā)的拋光液產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于金屬、光電、集成電路半導(dǎo)體、陶瓷、硬盤、面板顯示器等材質(zhì)表面的深度處理。吉致電子CMP拋光耗材產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于各種CMP領(lǐng)域，包括Lapping機(jī)臺(tái)、五軸機(jī)臺(tái)、單面拋光機(jī)、雙面拋光機(jī)等其他研磨拋光機(jī)臺(tái)設(shè)備。拋光液升級(jí)配方可用于半導(dǎo)體行業(yè)硅片硅襯底減薄、碳化硅襯底拋光、藍(lán)寶石襯底拋光。針對(duì)性更強(qiáng)的拋光液產(chǎn)品如阻擋層化學(xué)機(jī)械拋光液，鎢化學(xué)機(jī)械拋光液以及介質(zhì)層化學(xué)機(jī)械拋光液、淺槽隔離化學(xué)機(jī)械拋光液、用于3D封裝TSV化學(xué)機(jī)械拋光液可詳細(xì)咨詢。拋光液的特點(diǎn)是不傷

http://www.sb8049.com/Article/jzdzcmppgy_1.html

[行業(yè)資訊]溫度對(duì)CMP拋光的影響有哪些[ 2022-07-15 15:13 ]

化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中，拋光墊大面積接觸工件，提高了一致性和拋磨效率，然而在拋光過程中，拋光墊也會(huì)不斷地磨損和消耗，各種因素都會(huì)影響拋光墊的性能和使用壽命，其中直接的因素就是溫度。在化學(xué)機(jī)械拋光過程中，拋光墊的溫度通常會(huì)在兩種情況下升高。一個(gè)是固體和固體之間的物理摩擦接觸。摩擦力引起的溫度上升可能導(dǎo)致拋光墊的局部溫度上升到30℃。當(dāng)拋光在液壓釋放模式下進(jìn)行時(shí)，熱量釋放將被釋放。另一種是拋光液和拋光墊之間的化學(xué)反應(yīng)釋放的熱量引起的溫度升高。當(dāng)拋光墊的溫度超過一定限度時(shí)，拋光墊的聚氨酯材料

http://www.sb8049.com/Article/wddcmppgdy_1.html

吉致電子拋光材料源頭廠家
25年專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

相關(guān)搜索

吉致熱門資訊

吉致電子拋光材料 源頭廠家 25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

相關(guān)搜索

吉致熱門資訊

吉致電子拋光材料源頭廠家
25年專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)