吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

CMP在半導(dǎo)體晶圓制程中的作用

  化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是實(shí)現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝，通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同配合作用，利用CMP拋光液、拋光機(jī)和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實(shí)現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級全局平坦化。簡單來講，半導(dǎo)體晶圓制程可分為前道和后道 2 個環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造，后道工藝是芯片的封裝測試。  前道加工領(lǐng)域CMP主要負(fù)責(zé)對晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的拋光。  晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴(kuò)散、離子注

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鎢鋼用什么研磨液和拋光液

  硬質(zhì)合金也就是鎢鋼，在現(xiàn)代工業(yè)中的應(yīng)用非常廣泛，如鋼鐵、交通、建筑等領(lǐng)域?qū)τ操|(zhì)合金的需求愈發(fā)旺盛，隨著對深加工產(chǎn)品需求的高漲，硬質(zhì)合金將向精深加工、工具配套方向發(fā)展;向超細(xì)、超粗及涂層復(fù)合結(jié)構(gòu)等方向發(fā)展;向循環(huán)經(jīng)濟(jì)、節(jié)能環(huán)保方向發(fā)展;向精密化、小型化方向發(fā)展。那么鎢鋼研磨用什么拋光液？  鎢鋼用于高精度機(jī)械加工、高精度刀具材料、車床、沖擊鉆鉆頭、玻璃刀刀頭、瓷磚割刀之上。這類硬質(zhì)工件需要經(jīng)過研磨拋光工藝來達(dá)到使用標(biāo)準(zhǔn)。鎢鋼特點(diǎn)是耐磨、硬度高、韌性強(qiáng)，耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能，尤其它的高硬度和耐

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TSV拋光液---半導(dǎo)體3D封裝技術(shù)Slurry

  TSV全稱為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。  TSV工藝的優(yōu)勢：可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容電感，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子JEEZ用于3D封裝

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CMP常用化學(xué)拋光液有哪些

   CMP技術(shù)（化學(xué)機(jī)械研磨）是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中非常重要的一項(xiàng)技術(shù)，在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用最多，通過CMP工藝使用拋光液和拋光墊可以去除晶圓表面的氧化層、硅化物、金屬殘留物等雜質(zhì)，達(dá)到工件表面平坦化，保證晶體管等器件的性能穩(wěn)定性。   拋光磨料是CMP拋光液中最重要的組成部分，它能夠去除硅片表面的氧化物和金屬殘留物，以達(dá)到平坦化的效果。CMP常用化學(xué)拋光液有哪些？常見的CMP化學(xué)拋光液有氧化鋁（Al2O3）、氧化硅（SiO2）、氧化鈰（CeO2）氮化硅（Si3N4）等。不同的

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如何解決氧化硅拋光液結(jié)晶問題

 二氧化硅拋光液在拋光過程中會出現(xiàn)結(jié)晶結(jié)塊的現(xiàn)象，雖然不是大問題但如果處理不當(dāng)，很可能會導(dǎo)致工件表面劃傷甚至報廢，那么怎么解決氧化硅拋光液結(jié)晶問題呢？  首先要了解硅溶膠拋光液的特點(diǎn)屬性。二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)水解法離子、交換法制備成的一種高純度低金屬離子型產(chǎn)品。在水性環(huán)境中容易形成一種離子網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而一脫離了水份，表面積迅速凝結(jié)形成結(jié)晶塊，所以只要保持水分基本上是不會出現(xiàn)結(jié)晶現(xiàn)象。在實(shí)際CMP拋光工藝當(dāng)中硅溶膠拋光液會一直在研磨盤轉(zhuǎn)動、流動，結(jié)晶情況較少。  因此氧化

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藍(lán)寶石窗口平面加工--藍(lán)寶石研磨液

 藍(lán)寶石平面視窗、精密質(zhì)量藍(lán)寶石視窗、高精度質(zhì)量藍(lán)寶石視窗是為各種光學(xué)、機(jī)械和電子應(yīng)用提供了強(qiáng)度、耐磨性、化學(xué)惰性適用于光學(xué)和激光應(yīng)用，這些藍(lán)寶石窗口設(shè)計用于關(guān)鍵的光學(xué)和激光應(yīng)用。藍(lán)寶石窗口的制程中關(guān)鍵步驟需要用到CMP研磨拋光工藝，藍(lán)寶石研磨液適合用于大批量藍(lán)寶石窗口的生產(chǎn)應(yīng)用。  藍(lán)寶石拋光液以高純度氧化硅原料制備而成，具有懸浮性好，不易結(jié)晶，易清洗等特點(diǎn)。用于藍(lán)寶石工件的鏡面研磨，研磨后的工件表面粗糙度低，無劃傷，表面質(zhì)量度高。吉致電子生產(chǎn)研發(fā)的藍(lán)寶石窗口CMP拋光研磨液，性能穩(wěn)

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藍(lán)寶石晶圓怎么研磨--sapphire wafer拋光液實(shí)現(xiàn)高平坦度表面

  吉致電子藍(lán)寶石研磨液sapphire slurry又稱為藍(lán)寶石拋光液。專業(yè)用于藍(lán)寶石襯底、外延片、窗口、藍(lán)寶石wafer的減薄和拋光。藍(lán)寶石拋光液由純度高的磨粒、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成，具有穩(wěn)定性高、不沉降不易結(jié)晶、拋光速度快的優(yōu)點(diǎn)。   通過CMP工藝搭配藍(lán)寶石專用slurry可實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石晶圓的高平坦度加工,吉致電子拋光液利用納米SiO2粒子研磨表面,不會對加工件造成物理損傷,達(dá)到精密加工。藍(lán)寶石CMP拋光液的低金屬的成分，可以有效防止產(chǎn)品受到污染。  &n

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什么是OX研磨液?吉致電子氧化層拋光液性能有哪些？

  Oxide slurry 簡稱OX氧化物研磨液廣泛用于氧化層材料的CMP拋光，拋光研磨后達(dá)到精準(zhǔn)的表面平整度和厚度控制，如Si Wafer晶圓表面的氧化硅層或者上層金屬與氧化硅之間的氧化硅層等。  吉致電子OX氧化層拋光液適用于4-12英寸氧化硅鍍膜片的氧化層拋光液。JEEZ半導(dǎo)體拋光液性能優(yōu)點(diǎn)：①使用純度高的納米拋光磨料，擁有高速率加工能力;②slurry粒徑大小均勻因此能獲得無缺陷的表面；③ 吉致Oxide slurry 易清洗無殘留，對后續(xù)工藝影響小。 

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第三代半導(dǎo)體材料--碳化硅晶圓SiC拋光液

  隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限，同時硅也滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發(fā)展的需要，以化合物半導(dǎo)體材料，特別是第三代半導(dǎo)體為代表的半導(dǎo)體新材料快速崛起。  碳化硅是新型電力系統(tǒng)，特高壓電網(wǎng)必需的可達(dá)萬伏千安等級的唯一功率半導(dǎo)體材料，同時也是高鐵和新能源汽車牽引、電控系統(tǒng)的“心臟”。從國際技術(shù)發(fā)展水平來看，碳化硅方面，8英寸襯底開始產(chǎn)業(yè)化，車規(guī)級功率器件是當(dāng)前開發(fā)重點(diǎn)，多家廠商已推出大功率模組及高溫封裝產(chǎn)品，碳化硅器件正向耐受更高電壓

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吉致電子手機(jī)取卡針拋光液

  吉致電子手機(jī)液態(tài)金屬拋光液，手機(jī)取卡針拋光液，研磨拋光漿料為粗拋、中拋、精拋漿料懸浮性好，特點(diǎn)是不易沉淀、不結(jié)晶、不腐蝕機(jī)臺，易于清洗。  適用于3C電子產(chǎn)品，手機(jī)電子元器件、液態(tài)金屬、喇叭網(wǎng)聽筒/手機(jī)音量鍵、碳素鋼拋光液可以迅速去除CNC刀紋、底紋等，拋光后無劃傷、橘皮、坑點(diǎn)、針眼等缺陷不含重金屬以及有害物質(zhì)、環(huán)保無危害，可接觸皮膚。  產(chǎn)品運(yùn)用拋光液中的CMP化學(xué)機(jī)械作用，提高拋光速率改善拋光表面的質(zhì)量顆粒粒徑分布適中，最大程度提升拋光速率的同時降低微劃傷的概率顆粒分散性好，有

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半導(dǎo)體行業(yè)CMP化學(xué)機(jī)械平坦化工藝Slurry

  Chemical Mechanical Plamarization化學(xué)機(jī)械平坦化工藝，應(yīng)用于各種集成電路及半導(dǎo)體行業(yè)等減薄與平坦化加工。  CMP工藝融合了化學(xué)研磨和物理研磨的過程，而單一的化學(xué)或物理研磨在表面精度、粗糙度、均勻性、材料去除率及表面損失程度上都不能同時滿足要求。CMP工藝兼具了二者的優(yōu)點(diǎn)，通過拋光液/研磨液（slurry）與拋光墊（Pad）化學(xué)機(jī)械作用，在保證材料去除效率的同時，得到準(zhǔn)確的表面材料層的厚度，獲得較好的晶圓表面平坦度和均勻性，實(shí)現(xiàn)納米級甚至原子級的表面粗糙度，同

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CMP金剛石懸浮液/研磨液的特點(diǎn)及應(yīng)用

吉致電子金剛石研磨液產(chǎn)品特點(diǎn)：（1）磨料類型多樣化，包含單晶、多晶、類多晶及納米級金剛石等；（2）金剛石懸浮液包含水性、油性及乳化型；（3）金剛石研磨液粘度可調(diào)整，包含低粘度、中等粘度和高粘度；吉致電子金剛石懸浮液/研磨液應(yīng)用領(lǐng)域：1、拋光液CMP半導(dǎo)體晶片加工：藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵等半導(dǎo)體晶片;2、拋光液陶瓷加工：氧化鋯指紋識別片、氧化鋯陶瓷手機(jī)后殼及其它功能陶瓷;3、拋光液用于金屬材料加工：不銹鋼、模具鋼、鋁合金及其它金屬材料。吉致電子CMP研發(fā)生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品質(zhì)量和效果媲美進(jìn)口slurry，CMP拋光液粒度規(guī)

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CMP拋光液---納米氧化鈰拋光液的優(yōu)點(diǎn)

  通常化學(xué)機(jī)械研磨拋光工藝使用的CMP拋光液有金剛石拋光液、氧化硅拋光液、氧化鋁拋光液及氧化鈰拋光液（又稱稀土拋光液）。  納米氧化鈰為水性液體是吉致電子采用先進(jìn)的分散工藝，將納米氧化鈰粉體分散在水相介質(zhì)中，形成高度分散化、均勻化和穩(wěn)定化的納米氧化鈰水性懸浮液。1.在拋光材料應(yīng)用中，納米CeO2拋光液相對硅溶膠，具有拋光劃傷少、拋光速度快、易清洗良品率高等優(yōu)勢，且PH中性，使用壽命長、對拋光表面污染小，不易風(fēng)干。2.在拋光軍用紅外激光硅片、異型硅、超薄硅片方面上，尤其是拋光超薄硅片，納米氧化鈰

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吉致電子常見的CMP研磨液

  CMP 化學(xué)機(jī)械拋光液slurry的主要成分包括：磨料、添加劑和分散液。添加劑的種類根據(jù)產(chǎn)品適用場景也有所不同，分金屬拋光液和非金屬拋光液。金屬CMP拋光液含：金屬絡(luò)合劑、腐蝕抑制劑等。非金屬CMP拋光液含：各種調(diào)節(jié)去除速率和選擇比的添加劑。  根據(jù)拋光對象不同，拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等類別。其中，銅拋光液和鎢拋光液主要用于邏輯芯片和存儲芯片制造過程，在10nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)中，鈷將部分代替銅作為導(dǎo)線；硅拋光液主要用于硅晶圓初步加工過程中。吉致電子常見的CMP研

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研磨液廠家--- 什么是CMP研磨液Slurry

  CMP研磨液（Slurry）是化學(xué)機(jī)械平面工藝中的研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物。Slurry主要是由磨料 、表面活性劑、氧化劑、PH緩沖膠和防腐劑等成分組成。其中磨料一般包括二氧化硅（SiO2）、 三氧化二鋁（Al2O3）、 氧化鈰（CeO2）,金剛石（單晶、多晶）等。  通俗來講，芯片制造就像蓋高樓，一層一層往上疊加，要想樓不塌，在制造下一層前必須確保本層的平坦度，這就是CMP平坦化的訴求。Wafer晶圓在制造過程中表面上是不平坦的，比如CVD、PVD、EPI、Tungsten Plug等

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銅化學(xué)機(jī)械拋光液---什么是TSV技術(shù)？

銅機(jī)械化學(xué)拋光液---什么是TSV技術(shù)？TSV全稱為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。TSV的顯著優(yōu)勢：TSV可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子

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拋光液廠家--CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料？

  CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料？  CMP拋光液越來越多的應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體材料的拋光，科研方向朝著攻克拋光液技術(shù)門檻和市場壁壘發(fā)展。CMP工藝的集成電路比例在不斷增加，對CMP材料種類和用量的需求也在增加。更先進(jìn)的邏輯芯片工藝可能會要求拋光新的材料，為CMP拋光材料帶來了更多的增長機(jī)會。  目前，第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。這代半導(dǎo)體具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力

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不銹鋼工件原始品質(zhì)對CMP拋光效果的影響

  不銹鋼鏡面拋光效果的優(yōu)良，不僅取決于拋光方案設(shè)計、拋光耗材（CMP拋光液、拋光墊）選擇和拋光參數(shù)設(shè)置，不銹鋼拋光工件的原始品質(zhì)也影響到最終的拋光的效果。當(dāng)拋光效果不盡人意時，不僅要對拋光方案、所使用耗材的品質(zhì)進(jìn)行評估和優(yōu)化，同時對于工件的質(zhì)量也要有所考慮。  不銹鋼工件品質(zhì)對CMP拋光工藝的影響1.優(yōu)質(zhì)的的不銹鋼工件是獲得良好拋光質(zhì)量的前提條件，工件表面硬度不均或特性上有差異都會對拋光產(chǎn)生一定的困難。金屬工件中的夾雜物和氣孔都是影響拋光的不利因素。2.電火花加工后的金屬表面難以研磨，若未在加

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吉致電子---氧化鈰研磨液在半導(dǎo)體CMP制程中的作用

  粒徑30-50nm的球形氧化鈰研磨液用于半導(dǎo)體芯片制程：應(yīng)用于芯片制程中氧化硅薄膜、集成電路STI(淺溝槽隔離層)CMP  STI目前已成為器件之間隔離的關(guān)鍵技術(shù)，目前已取代LOCOS(硅的局部氧化)技術(shù)。其主要步驟包括在純硅片上刻蝕淺溝槽、進(jìn)行二氧化硅沉積、后用CMP技術(shù)進(jìn)行表面平坦化。目前的研究表明采用納米氧化鈰作為CMP磨料，在拋光效率及效果上均優(yōu)于其他產(chǎn)品。  納米氧化鈰拋光液在硅晶圓CMP平坦化的效果優(yōu)異  粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液用于單晶硅片表面C

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CMP拋光液廠家---蘋果Logo專用拋光液

  果粉們時常被MacBook，Iphone上閃閃發(fā)光的Apple Logo所驚艷到，那么蘋果手機(jī)和筆記本上的金屬Logo是如何實(shí)現(xiàn)鏡面工藝的呢？

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