吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

藍(lán)寶石窗口平面加工--藍(lán)寶石研磨液

 藍(lán)寶石平面視窗、精密質(zhì)量藍(lán)寶石視窗、高精度質(zhì)量藍(lán)寶石視窗是為各種光學(xué)、機(jī)械和電子應(yīng)用提供了強(qiáng)度、耐磨性、化學(xué)惰性適用于光學(xué)和激光應(yīng)用，這些藍(lán)寶石窗口設(shè)計用于關(guān)鍵的光學(xué)和激光應(yīng)用。藍(lán)寶石窗口的制程中關(guān)鍵步驟需要用到CMP研磨拋光工藝，藍(lán)寶石研磨液適合用于大批量藍(lán)寶石窗口的生產(chǎn)應(yīng)用。  藍(lán)寶石拋光液以高純度氧化硅原料制備而成，具有懸浮性好，不易結(jié)晶，易清洗等特點。用于藍(lán)寶石工件的鏡面研磨，研磨后的工件表面粗糙度低，無劃傷，表面質(zhì)量度高。吉致電子生產(chǎn)研發(fā)的藍(lán)寶石窗口CMP拋光研磨液，性能穩(wěn)

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什么是OX研磨液?吉致電子氧化層拋光液性能有哪些？

  Oxide slurry 簡稱OX氧化物研磨液廣泛用于氧化層材料的CMP拋光，拋光研磨后達(dá)到精準(zhǔn)的表面平整度和厚度控制，如Si Wafer晶圓表面的氧化硅層或者上層金屬與氧化硅之間的氧化硅層等。  吉致電子OX氧化層拋光液適用于4-12英寸氧化硅鍍膜片的氧化層拋光液。JEEZ半導(dǎo)體拋光液性能優(yōu)點：①使用純度高的納米拋光磨料，擁有高速率加工能力;②slurry粒徑大小均勻因此能獲得無缺陷的表面；③ 吉致Oxide slurry 易清洗無殘留，對后續(xù)工藝影響小。 

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半導(dǎo)體行業(yè)CMP化學(xué)機(jī)械平坦化工藝Slurry

  Chemical Mechanical Plamarization化學(xué)機(jī)械平坦化工藝，應(yīng)用于各種集成電路及半導(dǎo)體行業(yè)等減薄與平坦化加工。  CMP工藝融合了化學(xué)研磨和物理研磨的過程，而單一的化學(xué)或物理研磨在表面精度、粗糙度、均勻性、材料去除率及表面損失程度上都不能同時滿足要求。CMP工藝兼具了二者的優(yōu)點，通過拋光液/研磨液（slurry）與拋光墊（Pad）化學(xué)機(jī)械作用，在保證材料去除效率的同時，得到準(zhǔn)確的表面材料層的厚度，獲得較好的晶圓表面平坦度和均勻性，實現(xiàn)納米級甚至原子級的表面粗糙度，同

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CMP金剛石懸浮液/研磨液的特點及應(yīng)用

吉致電子金剛石研磨液產(chǎn)品特點：（1）磨料類型多樣化，包含單晶、多晶、類多晶及納米級金剛石等；（2）金剛石懸浮液包含水性、油性及乳化型；（3）金剛石研磨液粘度可調(diào)整，包含低粘度、中等粘度和高粘度；吉致電子金剛石懸浮液/研磨液應(yīng)用領(lǐng)域：1、拋光液CMP半導(dǎo)體晶片加工：藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵等半導(dǎo)體晶片;2、拋光液陶瓷加工：氧化鋯指紋識別片、氧化鋯陶瓷手機(jī)后殼及其它功能陶瓷;3、拋光液用于金屬材料加工：不銹鋼、模具鋼、鋁合金及其它金屬材料。吉致電子CMP研發(fā)生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品質(zhì)量和效果媲美進(jìn)口slurry，CMP拋光液粒度規(guī)

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研磨液廠家--- 什么是CMP研磨液Slurry

  CMP研磨液（Slurry）是化學(xué)機(jī)械平面工藝中的研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物。Slurry主要是由磨料 、表面活性劑、氧化劑、PH緩沖膠和防腐劑等成分組成。其中磨料一般包括二氧化硅（SiO2）、 三氧化二鋁（Al2O3）、 氧化鈰（CeO2）,金剛石（單晶、多晶）等。  通俗來講，芯片制造就像蓋高樓，一層一層往上疊加，要想樓不塌，在制造下一層前必須確保本層的平坦度，這就是CMP平坦化的訴求。Wafer晶圓在制造過程中表面上是不平坦的，比如CVD、PVD、EPI、Tungsten Plug等

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銅化學(xué)機(jī)械拋光液---什么是TSV技術(shù)？

銅機(jī)械化學(xué)拋光液---什么是TSV技術(shù)？TSV全稱為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。TSV的顯著優(yōu)勢：TSV可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子

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拋光液廠家--CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料？

  CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料？  CMP拋光液越來越多的應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體材料的拋光，科研方向朝著攻克拋光液技術(shù)門檻和市場壁壘發(fā)展。CMP工藝的集成電路比例在不斷增加，對CMP材料種類和用量的需求也在增加。更先進(jìn)的邏輯芯片工藝可能會要求拋光新的材料，為CMP拋光材料帶來了更多的增長機(jī)會。  目前，第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。這代半導(dǎo)體具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力

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CMP拋光液廠家---蘋果Logo專用拋光液

  果粉們時常被MacBook，Iphone上閃閃發(fā)光的Apple Logo所驚艷到，那么蘋果手機(jī)和筆記本上的金屬Logo是如何實現(xiàn)鏡面工藝的呢？

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SIT Slurry平坦化流程與方法

淺槽隔離（shallow trench isolation），簡稱STI。是在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝，通常用于亞0.25um工藝以下，利用掩模完成選擇性氧化，主要絕緣材料是淀積SiO?，淺槽隔離主要分為三個部分：槽刻蝕，氧化硅填充，CMP拋光液平坦化。一，槽刻蝕1,隔離氧化硅生成：氧化硅用于保護(hù)有源區(qū)在去掉氮化硅時免受化學(xué)污染2,氮化硅(Si?N?)淀積：氮化硅是堅硬的掩模材料，有助于保護(hù)STI氧化硅淀積過程中保護(hù)有源區(qū)；在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中充當(dāng)阻擋材料3,淺槽刻蝕：用氟基和氯基氣體

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吉致電子藍(lán)寶石研磨液CMP減薄工藝

  藍(lán)寶石研磨液/拋光液，是通過化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ） 用于藍(lán)寶石襯底、窗口片的研磨和減薄，達(dá)到減薄尺寸、表面平坦化效果。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液由優(yōu)質(zhì)聚晶金剛石微粉、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍(lán)寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時不易對工件產(chǎn)生劃傷。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液、CMP拋光液可以應(yīng)用在藍(lán)寶石襯底的研磨和減薄、光學(xué)晶體、硬質(zhì)玻璃和晶體、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領(lǐng)域的研

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稀土拋光液--氧化鈰拋光液的種類

  隨著光學(xué)技術(shù)和集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，對光學(xué)元件的精密和超精密拋光以及集成電路的CMP拋光工藝的要求越來越高，甚至達(dá)到了極其苛刻的程度，尤其是在表面粗糙度和缺陷的控制方面。鈰系稀土拋光液因其切削能力強(qiáng)、拋光精度高、拋光質(zhì)量好、使用壽命長，在光學(xué)精密拋光領(lǐng)域發(fā)揮了極其重要的作用。吉致電子氧化鈰拋光液的種類和固含量可按拋光工件的用途來分：根據(jù)氧化鈰的含量，氧化鈰拋光液可分為低鈰、中鈰和高鈰拋光液，其切削力和使用壽命也由低到高。1.含95%以上氧化鈰的鈰拋光液呈淡黃色，比重約7.3。主要適用于精密光學(xué)鏡片的

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半導(dǎo)體拋光液--球型二氧化硅拋光液的用途

  球形硅微粉作為拋光液磨料，可大大提高產(chǎn)品的剛性、耐磨性、耐候性、抗沖擊性、耐壓性、抗拉性、阻燃性、良好的耐電弧絕緣性和耐紫外線輻射性。讓我們來看看球型二氧化硅拋光液在電子芯片中的一些應(yīng)用。  精密研磨粉高純球形硅粉用于光學(xué)器件和光電行業(yè)的精密研磨，特別適用于半導(dǎo)體單晶多晶硅片、顯像管玻殼玻屏、光學(xué)玻璃、液晶顯示器(LCD、LED)玻璃基板、壓電晶體、化合物半導(dǎo)體材料(砷化鎵、磷化銦)、磁性材料等半導(dǎo)體行業(yè)的研磨拋光。  吉致電子用高純球形硅粉制備成的超高純硅溶膠拋光液slurry,

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納米氧化硅拋光液的特點

  納米二氧化硅拋光液由高純納米氧化硅SiO2等多種復(fù)合材料配置而成，通過電解法或離子交換法制備成納米拋光液，硅拋光液磨料分散性好，具有高強(qiáng)度、高附著力、成膜性好、高滲透、高耐候性、高耐磨性等特點，是一種性能優(yōu)良的CMP拋光材料。廣泛應(yīng)用于金屬或半導(dǎo)體電子封裝拋光工藝中。吉致電子硅拋光液，CMP拋光slurry應(yīng)用范圍：1、可用于微晶玻璃的表面拋光加工中。2、用于硅片的粗拋和精拋以及IC加工過程，適用于大規(guī)模集成電路多層化薄膜的平坦化加工。3、用于晶圓的后道CMP清洗等半導(dǎo)體器件的加工過程、平面顯示器、多

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半導(dǎo)體拋光液---半導(dǎo)體材料有哪些？

  半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)從材料端分為：第一代元素半導(dǎo)體材料，如硅（Si）和鍺(Ge)；第二代化合物半導(dǎo)體材料：如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等；第三代寬禁帶材料：如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等。  碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等，因為禁帶寬度大于2.2eV統(tǒng)稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，在國內(nèi)也稱為第三代半導(dǎo)體材料。其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導(dǎo)體材料，堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道&

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陶瓷覆銅板DPC/DBC研磨拋光液工藝

  陶瓷覆銅板的制作工藝主要是DPC工藝和DBC工藝，DPC產(chǎn)品具備線路精準(zhǔn)度高與表面平整度高的特性,非常適用于覆晶/共晶工藝,配合高導(dǎo)熱的陶瓷基體,顯著提升了散熱效率,是最適合高功率、小尺寸發(fā)展需求的陶瓷散熱基板。陶瓷覆銅基板需要用到CMP拋光工藝，利用拋光液和拋光墊達(dá)到表面光潔度或鏡面效果。  CMP拋光液對陶瓷覆銅基板的拋光研磨，可以做到粗拋、中拋、精拋效果。粗拋工藝，陶瓷覆銅板表面去除率高，快速拋磨。精拋工藝，基板表面無劃痕，可達(dá)反光鏡面效果。吉致電子針對陶瓷覆銅板制備的拋光研

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金屬手機(jī)邊框的鏡面拋光方法是什么？

  手機(jī)金屬外殼/手機(jī)邊框材質(zhì)一般為不銹鋼、鈦合金、鋁合金等，如華為\Iphone手機(jī)金屬邊框要達(dá)到完美的鏡面效果需要精拋步驟----手機(jī)鏡面拋光液slurry的主要成份是二氧化硅，二氧化硅拋光液外觀為乳白色，呈懸浮液狀態(tài)，在拋光過程中起到收光磨料的作用。  金屬手機(jī)精拋液的主要技術(shù)要求是什么呢？①鏡面拋光液PH值的選擇：PH值高低很可能會影響到最終的拋光效果，高低差別會導(dǎo)致手機(jī)金屬工件發(fā)黑氧化，以及麻點和起霧，所以如何控制PH值非常重要。②鏡面拋光液磨粒大小的選擇：氧化硅磨料顆粒大小，直接影響

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碳化硅襯底CMP拋磨工藝流程

碳化硅襯底CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝需要用到吉致電子CMP拋光液和拋光墊，拋磨工藝一般分為3道流程：雙面拋磨、粗拋、精拋。下面來看看吉致電子小編碳化硅晶圓拋光工藝介紹和拋光產(chǎn)品推薦吧。碳化硅襯底雙面研磨：一般使用雙面鑄鐵盤配合吉致電子金剛石研磨液或者碳化硅晶圓研磨液進(jìn)行加工；主要目的是去除線切損傷層以及改善晶片的平坦度。碳化硅襯底粗拋工藝：針對碳化硅襯底加工采用專門的碳化硅晶圓拋光液配合粗拋墊。既可以達(dá)到傳統(tǒng)工藝中較高的的拋光速率（與精磨基本相當(dāng)）又可以達(dá)到傳統(tǒng)工藝中粗拋后的表面光潔度。碳化硅襯底精拋工藝：SIC晶圓精

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碳化硅襯底拋光液的特點

碳化硅半導(dǎo)體晶片的制作一般在切片后需要用CMP拋光液進(jìn)行拋光，以移除表面的缺陷與損傷。碳化硅（Sic）晶片以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法（PVT）生長碳化硅單晶，再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關(guān)器件。碳化硅襯底具有碳極性面和硅極性面，因為碳面與硅面的極性不同，所以化學(xué)活性也不同，故雙面cmp拋光速率具有差異。吉致電子碳化硅襯底拋光液（Sic Slurry）為電力電子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化學(xué)機(jī)械平坦化配制的高精度拋光液。CMP拋光液大大提高了碳化硅晶圓

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氧化鋁拋光液在藍(lán)寶石窗口中的應(yīng)用

  α -氧化鋁(Al2O3)是眾多氧化鋁晶相中的最穩(wěn)定的晶體相，它由其他晶相的氧化鋁在高溫下轉(zhuǎn)變而成，是天然氧化物晶體中硬度最高的物質(zhì)，硬度僅次于金剛石，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于二氧化硅溶膠顆粒，它是一種常用的拋光用磨料，被廣泛用于許多硬質(zhì)材料的拋光上。應(yīng)用于CMP拋光液制備中，常用于在藍(lán)寶石窗口的鏡面拋光工藝中。 α -氧化鋁(Al2O3)其實與藍(lán)寶石是同一種物質(zhì)或材料，材料結(jié)構(gòu)中的原子排列模式完全相同，區(qū)別在于多晶體與單晶體。因此，從硬度上講α-氧化鋁(Al2O3)納米粉體與藍(lán)寶石晶體的硬度相當(dāng)，可以用于

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藍(lán)寶石拋光液的成分

  藍(lán)寶石拋光液中的主要成分有磨料、表面活性劑、螯合劑、PH調(diào)節(jié)劑等，拋光液是影響CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）效果最重要的因素之一。評價拋光液性能好壞的指標(biāo)是流動性好，分散均勻，在規(guī)定時間內(nèi)不能產(chǎn)生團(tuán)聚、沉淀、分層等問題，磨料懸浮性能好，拋光速率快，易清洗且綠色環(huán)保等。  其中，磨料主要影響化學(xué)機(jī)械拋光中的機(jī)械作用。磨料的選用主要從磨料的種類、濃度以及粒徑三個方面來考慮。目前CMP拋光液中常用的磨料主要有金剛石、氧化鋁、氧化硅等單一磨料，也有氧化硅/氧化鋁混合磨料以及核殼型的復(fù)合磨料等。行業(yè)內(nèi)主流拋光

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