吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

襯底與晶圓材料的選擇與特性

襯底材料半導(dǎo)體襯底材料的選擇對器件性能有重大影響。常見的襯底材料包括硅、砷化鎵、碳化硅等。硅襯底：硅SI是最常見的襯底材料，因其優(yōu)良的電學(xué)、熱學(xué)和機(jī)械特性廣泛應(yīng)用于集成電路和微電子器件。硅襯底具有成本低、加工成熟、易于大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。砷化鎵襯底：砷化鎵GaAs具有高電子遷移率和良好的光電特性，常用于高頻器件和光電器件。雖然成本較高，但在特定領(lǐng)域有無可替代的優(yōu)勢。碳化硅襯底：碳化硅SIC具有高硬度、高熱導(dǎo)率和高溫穩(wěn)定性，適用于高溫、高功率和高頻應(yīng)用。碳化硅襯底的加工難度較大，但其優(yōu)異的性能使其在特定領(lǐng)域有著重要應(yīng)用

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吉致電子 Cu CMP研磨工藝的三個(gè)步驟

Cu CMP研磨工藝通常包括三步。第一步：用來磨掉晶圓表面的大部分金屬。第二步：通過降低研磨速率的方法精磨與阻擋層接觸的金屬,并通過終點(diǎn)偵測技術(shù)（Endpoint）使研磨停在阻擋層上。第三步：磨掉阻擋層以及少量的介質(zhì)氧化物,并用大量的去離子水（DIW）清洗研磨墊和晶圓。Cu CMP研磨工藝中第一和第二步的研磨液通常是酸性的,使之對阻擋層和介質(zhì)層具有高的選擇性,而第三步的研磨液通常是偏堿性,對不同材料具有不同的選擇性。這兩種研磨液（金屬研磨液/介質(zhì)研磨液）都應(yīng)該含有H2O2、抗腐蝕的BTA（三唑甲基苯）以及其他添加物

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半導(dǎo)體晶圓常見材質(zhì)有哪些

半導(dǎo)體晶圓常見材質(zhì)有哪些？晶圓常見的材質(zhì)包括硅、藍(lán)寶石、氮化硅等。一、硅晶圓硅是目前制造半導(dǎo)體器件的主要材料，因其易加工、價(jià)格較低等優(yōu)良性能被廣泛采用。硅晶圓表面光潔度高，可重復(fù)性好，在光電子技術(shù)、光學(xué)等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。其制造過程主要包括單晶生長、切片和拋光等工序。二、藍(lán)寶石晶圓藍(lán)寶石（sapphire）是一種高硬度透明晶體，其晶格結(jié)構(gòu)與GaAs、Al2O3等半導(dǎo)體材料相近，尤其因其較大的帶隙（3.2eV）在制造高亮度LED、激光器等器件中得到廣泛應(yīng)用。此外，藍(lán)寶石的高強(qiáng)度、高抗腐蝕性也使其成為防護(hù)材料，如用于

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襯底與晶圓在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用

  襯底和晶圓是半導(dǎo)體制造過程中的兩個(gè)重要概念。襯底是作為基礎(chǔ)層的材料，承載著芯片和器件；而晶圓則是從襯底中切割出來的圓形硅片，作為半導(dǎo)體芯片的主要基板。襯底通常是硅片或其他材料的薄片，而晶圓則是襯底的一部分，具有特定的尺寸和方向。襯底用于承載和沉積薄膜，而晶圓用于生長材料、制造芯片和執(zhí)行光刻等工藝步驟。 襯底的應(yīng)用：承載半導(dǎo)體芯片：襯底是半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)，提供穩(wěn)定的平臺(tái)來構(gòu)建電子器件和集成電路?；A(chǔ)層的沉積：在制造過程中，襯底上可能需要進(jìn)行一系列的薄膜沉積，如氧化物、金屬等。這些薄膜可以提供保

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金屬互連中的大馬士革工藝

 在半導(dǎo)體制程中為了連接不同的電路元件，傳遞電子信號和為電路元件供電，需要使用導(dǎo)電金屬來形成互連結(jié)構(gòu)。鋁曾經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)中用于這些互聯(lián)結(jié)構(gòu)的主要材料。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步和特征尺寸的不斷縮小，銅成為了替代選擇，那么這個(gè)過程是如何演變的呢？  金屬互連工藝歷史：早期的集成電路使用了金作為互連材料，到60-90年代中期，鋁逐漸成為集成電路制造中最主要的互連導(dǎo)線材料。1997年，美國 IBM 公司公布了先進(jìn)的銅互連技術(shù)，標(biāo)志著銅正式開始替代鋁成為高性能集成電路的主要互連材料。 

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藍(lán)寶石激光領(lǐng)域視窗拋光液

  藍(lán)寶石激光領(lǐng)域視窗具有 Mohs 9硬度、平整度到<1/20λ,表面粗糙度0.3nm。按照尺寸從0.5英寸 到30英寸和不同壁厚度的規(guī)格制造,包括階梯邊緣、橢圓形邊緣望造、孔、槽和楔角。  藍(lán)寶激光領(lǐng)域視窗對快速移動(dòng)的沙子、鹽水和其他顆粒物具有抵抗力,非常適合所有類型的激光武器系統(tǒng)、大功率微波和其他需要極其平坦和堅(jiān)固的光學(xué)技術(shù)的應(yīng)用。  吉致電子藍(lán)寶石激光領(lǐng)域視窗拋光液，具有良好的穩(wěn)定性，提高藍(lán)寶石視窗片拋光速率的同時(shí)保證藍(lán)寶石表面光滑、無缺陷的全局平坦化質(zhì)量。無錫吉致電子科

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半導(dǎo)體晶圓CMP化學(xué)機(jī)械研磨拋光的原因

 什么是CMP化學(xué)機(jī)械研磨拋光？CMP（Chemical Mechanical Polishing）其實(shí)為化學(xué)與機(jī)械研磨（C&MP）的意思，化學(xué)作用與機(jī)械作用平等。目前CMP已成為半導(dǎo)體制程主流，其重要的原因主要有二：①為了縮小芯片面積，因此采用集成度高、細(xì)線化的多層金屬互連線（七層以上），因線寬極細(xì)，且需多層堆疊，故光刻制程即為一關(guān)鍵步驟。若晶圓表面凹凸不平，平坦度差，則會(huì)影響光刻精確度，因此需以CMP達(dá)成晶圓上金屬層間之全面平坦化（Global Planarization）。②為了降低元件之電

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LT鉭酸鋰晶片的CMP拋光液

鉭酸鋰LiTaO3作為非線性光學(xué)晶體、電光晶體、壓電晶體、聲光晶體和雙折射晶體等在現(xiàn)今以光技術(shù)產(chǎn)業(yè)為中心的IT 產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。 晶體材料的結(jié)構(gòu)與其光學(xué)性能息息相關(guān)，鉭酸鋰LT晶體是一種優(yōu)良的多功能材料，具有很高的應(yīng)用價(jià)值。LiTaO3晶體以它的化學(xué)性能穩(wěn)定高（不溶與水），居里點(diǎn)高于600℃，不易出現(xiàn)退極化現(xiàn)象，介電損耗低，探測率優(yōu)值高的優(yōu)良特性，成為熱釋電紅外探測器的應(yīng)用材料。  經(jīng)過CMP拋光的LT晶片廣泛用于諧振器、濾波器、換能器等電子通訊器件的制造，尤其以它良好的機(jī)電耦合、溫度系數(shù)等綜合性

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看懂SIC碳化硅襯底研磨加工技術(shù)

碳化硅SiC襯底因其脆硬性特性再疊加大尺寸化、超薄化的放大效應(yīng)，給現(xiàn)有的加工技術(shù)帶來了巨大的挑戰(zhàn)，被視為典型難加工材料。高效率、高質(zhì)量的碳化硅襯底加工技術(shù)成了當(dāng)下的研究熱點(diǎn)。  碳化硅相較于第一、二代半導(dǎo)體材料具有更優(yōu)良的熱學(xué)、電學(xué)性能，如寬禁帶、高導(dǎo)熱、高溫度穩(wěn)定 性和低介電常數(shù)等，這些優(yōu)勢使得以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于高溫、高頻、高功率 以及抗輻射等極端工況.作為高性能微電子和光 電子器件制造的襯底基片，碳化硅襯底加工后的表面、亞表面質(zhì)量對器件的使用性能有著極為重要的影響。因

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碳化硅襯底平坦化使用的是什么工藝？

  碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。  第三代半導(dǎo)體，由于在物理結(jié)構(gòu)上具有能級禁帶寬的特點(diǎn)，又稱為寬禁帶半導(dǎo)體，主要是以氮化鎵和碳化硅為代表，其在半導(dǎo)體性能特征上與第一代的硅、第二代的砷化鎵有所區(qū)別，使得其能夠具備高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢，從而能夠開發(fā)出更適應(yīng)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的小型化功率半導(dǎo)體器件，可有效突破傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體器件及其材料的物理極限。  化學(xué)

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碳化硅SIC襯底的加工難度有哪些？

  襯底是所有半導(dǎo)體芯片的底層材料，起到物理支撐、導(dǎo)熱、導(dǎo)電等作用。有數(shù)據(jù)顯示，襯底成本大約占晶圓加工總成本的50%，外延片占25%，器件晶圓制造環(huán)節(jié)20%，封裝測試環(huán)節(jié)5%。  SiC碳化硅襯底不止貴生產(chǎn)工藝還復(fù)雜，與Si硅片相比，SiC很難處理。SiC單晶襯底加工過程包括單晶多線切割、研磨、拋光、清洗最終得到滿足外延生長的襯底片。碳化硅是世界上硬度排名第三的物質(zhì)，不僅具有高硬度的特點(diǎn)，高脆性、低斷裂韌性也使得其磨削加工過程中易引起材料的脆性斷裂從而在材料表面留下表面破碎層，且產(chǎn)生較為嚴(yán)重的表

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氮化鋁/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨拋光

  氮化鋁/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨拋光，需要用粗拋和精拋兩道工藝。粗拋液用來研磨快速去除表面缺陷和不良，精細(xì)拋光液用來平坦工件表面提升精度。吉致電子陶瓷專用研磨液/拋光液能減少研磨時(shí)間，同時(shí)提高陶瓷工件拋光的質(zhì)量，幫助客戶縮短工時(shí)提高工作效率。 陶瓷基板的研磨過程一般包括雙面研磨（35-60分鐘）和精細(xì)拋光（120分鐘）。在不到2.5小時(shí)的時(shí)間里，得到10-15納米的Ra。 氮化鋁/氮化硅散熱襯底拋光方案：①雙面研磨（35-60分鐘）搭配吉致電子類多晶研磨液 ②超精細(xì)拋

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吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液和研磨液

  吉致電子金剛石拋光液/研磨液包括單晶拋光液、多晶拋光液和類多晶拋光液。金剛石研磨液分為水基和油基兩類。  吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液金剛石拋光液濃度高，金剛石粒徑均勻，懸浮液分散充分。其特點(diǎn)是不結(jié)晶、不團(tuán)聚，磨削力強(qiáng)，拋光效果好?？梢詽M足高硬度材料、精密的微小元器件、高質(zhì)量表面要求的材料拋光需求。  金剛石拋光液采用優(yōu)質(zhì)金剛石微粉，結(jié)合吉致專利配方工藝，調(diào)配的CMP專用拋光液可最大限度的提高切削力和拋光效率。在實(shí)際使用中工件研磨速率穩(wěn)定，材料去除率高

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吉致電子榮獲第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會(huì)議“優(yōu)秀組織獎(jiǎng)”

  2023年11月8日-10日第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會(huì)議(APCSCRM 2023)在北京圓滿落幕。本次會(huì)議聚焦寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)材料及器件多學(xué)科主題，邀請全球60余位知名專家學(xué)者、龍頭企業(yè)、資本機(jī)構(gòu)蒞臨會(huì)議現(xiàn)場，通過大會(huì)報(bào)告、專場報(bào)告、高峰論壇、口頭報(bào)告、項(xiàng)目路演和墻報(bào)等形式，分享全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體技術(shù)最新研究進(jìn)展，交換產(chǎn)業(yè)前瞻性觀點(diǎn)，展示企業(yè)先進(jìn)成果，促進(jìn)行業(yè)互聯(lián)互通。    吉致電子科技有限公司出席了此次會(huì)議，并在會(huì)議期間設(shè)有展臺(tái)。吉致電子的代表們與全球各地的專家

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吉致電子科技碳化硅研磨液的作用

  碳化硅研磨液的作用是去除切割過程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面損傷層。由于SiC的高硬度，研磨過程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。研磨根據(jù)粗磨和精磨工藝的不同分別使用粗磨液、精磨液。  SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的變質(zhì)層，研磨液中會(huì)使用粒徑較大的磨粒，以提高加工效率。碳化硅晶圓精磨液主要是去除粗磨留下的表面損傷層，改善表面光潔度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后續(xù)的精細(xì)拋光，因此使用粒徑較細(xì)的磨粒研磨晶片。  為獲

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吉致電子手機(jī)中框拋光液及智能穿戴設(shè)備表面處理

手機(jī)中框、智能穿戴設(shè)備表面處理，有拋光、噴砂等工藝。吉致電子3C產(chǎn)品專用拋光液及拋光耗材，速率快效果好。手機(jī)中框?qū)τ阽R面拋光要求非常高，需要達(dá)到鏡面效果，鈦合金相比其他鋁合金、不銹鋼等金屬是相對較硬的材質(zhì)手機(jī)中框鏡面拋光可以用氧化鋁拋光液搭配拋光皮達(dá)到一個(gè)高亮面的效果，其效果可達(dá)到：1.懸浮性好，不易沉淀；2.顆粒分散均勻，不團(tuán)聚，軟硬度適中，有效避免拋光過程中由于顆粒團(tuán)聚導(dǎo)致 的工件表面劃傷缺陷。3.運(yùn)用拋光過程中的化學(xué)新作用，提高拋光速度，改善拋光表面的質(zhì)量。4.分散性好、乳液均一，程度提升拋光速率的同時(shí)降低微

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藍(lán)寶石襯底研磨用什么拋光液

  CMP工藝怎么研磨藍(lán)寶石襯底？需要搭配什么拋光液？藍(lán)寶石拋光萬能公式：粗拋、中拋、精拋，每道工序使用不同磨料的拋光液和拋光PAD：①藍(lán)寶石CMP粗磨：藍(lán)寶石襯底粗磨可以選擇硬度高切削力強(qiáng)的吉致金剛石研磨液，搭配金剛石磨盤，速率高效果好可有效去除藍(lán)寶石表面的不平和劃痕。②藍(lán)寶石CMP中拋：這一步可以用銅盤+小粒徑的金剛石研磨液，用來去除粗拋留下的紋路，為鏡面拋光做前期準(zhǔn)備。③藍(lán)寶石CMP精拋：CMP精拋是藍(lán)寶石襯底最后一道工序，需要用到拋光墊+納米氧化硅拋光液來收光，呈現(xiàn)平坦無暇的鏡面效果。 

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半導(dǎo)體先進(jìn)制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進(jìn)行中

  國內(nèi)半導(dǎo)體制造的崛起加速推動(dòng)了半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)化進(jìn)程。在政策、資金以及市場需求的帶動(dòng)下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，帶動(dòng)上游材料需求增長。先進(jìn)制程CMP拋光液及CMP拋光墊用量大增，國產(chǎn)替代進(jìn)行中。  CMP拋光墊（CMP PAD）一般分為聚氨酯拋光墊、無紡布拋光墊、阻尼布拋光墊等，高精密研磨拋光墊應(yīng)用于半導(dǎo)體制作、平面顯示器、玻璃光學(xué)、各類晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤基板等產(chǎn)業(yè)，目前主要型號有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等，其中IC1000和SUBA是用得最廣的。&n

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CMP在半導(dǎo)體晶圓制程中的作用

  化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是實(shí)現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝，通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同配合作用，利用CMP拋光液、拋光機(jī)和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實(shí)現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級全局平坦化。簡單來講，半導(dǎo)體晶圓制程可分為前道和后道 2 個(gè)環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造，后道工藝是芯片的封裝測試。  前道加工領(lǐng)域CMP主要負(fù)責(zé)對晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的拋光。  晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴(kuò)散、離子注

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TSV拋光液---半導(dǎo)體3D封裝技術(shù)Slurry

  TSV全稱為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。  TSV工藝的優(yōu)勢：可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容電感，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子JEEZ用于3D封裝

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