化學(xué)機(jī)械平坦化，英語是：Chemical-Mechanical Planarization, CMP。 又稱化學(xué)機(jī)械研磨，英語是：Chemical-Mechanical Polishing。是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一種技術(shù)，使用化學(xué)腐蝕及機(jī)械力對(duì)加工過程中的硅晶圓或其它襯底材料進(jìn)行平坦化處理。

CMP技術(shù)早期主要應(yīng)用于光學(xué)鏡片的拋光和晶圓的拋光。

20世紀(jì)70年代，多層金屬化技術(shù)被引入到集成電路制造工藝中，此技術(shù)使芯片的垂直空間得到有效的利用，并提高了器件的集成度。但這項(xiàng)技術(shù)使得硅片表面不平整度加劇，由此引發(fā)的一系列問題（如引起光刻膠厚度不均進(jìn)而導(dǎo)致光刻受限）嚴(yán)重影響了大規(guī)模集成電路（LSI）的發(fā)展。針對(duì)這一問題，業(yè)界先后開發(fā)了多種平坦化技術(shù)，主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜層等，但效果并不理想。80年代末，IBM公司將CMP技術(shù)進(jìn)行了發(fā)展使之應(yīng)用于硅片的平坦化，其在表面平坦化上的效果較傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有了大的改善，從而使之成為了大規(guī)模集成電路制造中有關(guān)鍵地位的平坦化技術(shù)。

工作原理：

    化學(xué)機(jī)械平坦化是在機(jī)械拋光的基礎(chǔ)上根據(jù)所要拋光的表面加入相應(yīng)的化學(xué)添加劑從而達(dá)到增強(qiáng)拋光和選擇性拋光的效果。

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