溫度在藍(lán)寶石襯底拋光中起著非常重要的作用, 它對CMP工藝的影響體現(xiàn)在拋光的各個環(huán)節(jié)。

  在CMP工藝的化學(xué)反應(yīng)過程和機械去除過程這兩個環(huán)節(jié)中, 受溫度影響十分強烈。一般來說, 拋光液溫度越高, 拋光速率越高, 表面平坦度也越好, 但化學(xué)腐蝕嚴(yán)重, 表面完美性差。所以, 藍(lán)寶石拋光液/研磨液溫度必須控制在合適的范圍內(nèi), 這樣才能滿足圓晶片的平坦化要求。實驗表明, 拋光液在40℃左右的時候, 拋光速率達(dá)到了最大值, 隨著溫度繼續(xù)升高, 拋光速率的上升趨于平緩, 并且產(chǎn)生拋光液蒸騰現(xiàn)象。

  這是由于當(dāng)溫度過高時, CMP拋光液的蒸騰使部分水分被蒸發(fā)出來, 從而增大了拋光液的濃度, 并使其粘性增加, 且在拋光墊上的擴展度變小, 阻礙了系統(tǒng)內(nèi)的物質(zhì)傳輸, 從而阻礙了拋光速率的增高; 同時, 較高的溫度使化學(xué)反應(yīng)速率加快, 令藍(lán)寶石晶片表面出現(xiàn)不均勻霧狀腐蝕等過腐蝕現(xiàn)象, 從而影響晶片的表面完美性。

  吉致電子科技為半導(dǎo)體行業(yè)/光學(xué)行業(yè)調(diào)配的藍(lán)寶石研磨液/藍(lán)寶石LED襯底拋光液/Sapphire Slurry組合漿料，適用于藍(lán)寶石基片、外延片、LED的平坦化加工。設(shè)計滿足從研磨到CMP的襯底制造的各個工藝階段的規(guī)范，在藍(lán)寶石基片拋光應(yīng)用中提供了高性能和低成本的解決方案。

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